【摘 要】
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本文测量了200~550 keV的Xe10+离子轰击高纯度(99.99%)Al表面诱发的溅射Al原子的光发射,研究了AlⅠ308.10、309.14、394.52、396.28 nm光谱线强度比值和光子产额随入射离子能量的变化趋势。在本实验能量范围内,辐射光谱线强度比值随入射离子能量增加几乎不变,而发射谱线的光子产额随入射离子能量的增加呈现出不同趋势:入射离子能量为450 keV时,光子产额出现极大值,入射离子能量超过450 keV时,光子产额随能量的增加而减少,其变化趋势与核阻止本
【机 构】
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甘肃省人民医院,中国科学院近代物理研究所,吉林大学物理学院,南京航空航天大学航天学院
【基金项目】
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大科学装置科学研究联合基金(U1832114,U1732269),国家自然科学基金(11905105)。
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本文测量了200~550 keV的Xe10+离子轰击高纯度(99.99%)Al表面诱发的溅射Al原子的光发射,研究了AlⅠ308.10、309.14、394.52、396.28 nm光谱线强度比值和光子产额随入射离子能量的变化趋势。在本实验能量范围内,辐射光谱线强度比值随入射离子能量增加几乎不变,而发射谱线的光子产额随入射离子能量的增加呈现出不同趋势:入射离子能量为450 keV时,光子产额出现极大值,入射离子能量超过450 keV时,光子产额随能量的增加而减少,其变化趋势与核阻止本
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