【摘 要】
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采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱
【机 构】
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河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,河北半导体研究所专用集成
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采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。
Using a new interconnection process and double-exposure lithography based on a smooth cross-section of [0 11] crystallographic chemical etching of InP materials, a novel multi-quantum well laser with 1.55 μm MQW laser and InP / InGaAs Light Emitting Monolithic Integrated Circuit of Heterojunction Bipolar Transistor Driver. Under the 1.5Gbit / s 2 2 3 3- 1 pseudo-random code modulation, the device has an open eye diagram, the optical output power is 2dBm and the chip power consumption is about 120mW.
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