【摘 要】
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该文选择目前国内外研究得最多的纳米硅/硅氧化物系统中光发射的物理问题作为研究对象.结合该小组以前对a-Si:H/SiN多层膜限制性晶化的研究工作,在等离了增强化学气相沉积（Pla
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该文选择目前国内外研究得最多的纳米硅/硅氧化物系统中光发射的物理问题作为研究对象.结合该小组以前对a-Si:H/SiN<,X>多层膜限制性晶化的研究工作,在等离了增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）系统中,采用生长a-Si:H层和原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法,制备出a-Si:H/SiO<,2>多层膜,探索了一条目前国际上尚未见报导的制备a-Si:H/SiO<,2>多层膜的新方法.通过热退火等后处理获得尺寸可控的市制于SiO<,2>介质层中的发光nc-Si阵列,在此基础上对a-Si:H/SiO<,2>多层膜和nc-Si:H/SiO<,2>多层膜的光致发光进行了细致的观察和深入的分析,除观察到国内外研究小组通常报道的红-近红外波段的发光外,还首次观察到蓝光波段的发射,并探讨了从a-Si:H/SiO<,2>多层膜到nc-Si:H/SiO<,2>的晶化过程中发光机理的演变.
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