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ZnO 薄膜是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族直接宽带隙半导体材料.室温下禁带宽度为3.37ev,激子束缚能高达60meV,更容易实现高效率的激子型光发射和低阈值的受激发射,因而受到了广泛的关注.
溶胶凝胶法制备p-ZnO薄膜
【摘 要】
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ZnO 薄膜是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族直接宽带隙半导体材料.室温下禁带宽度为3.37ev,激子束缚能高达60meV,更容易实现高效率的激子型光发射和低阈值的受激发射,因而受到了广泛的
【机 构】
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清华大学化学系,北京市海淀区,100084
【出 处】
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中国化学会第28届学术年会
【发表日期】
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2012年期
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