【摘 要】
：
苝四甲酸二酐(PTCDA)作为一种双极性材料在有机半导体器件中获得广泛应用。本文研究和分析了PTCDA做为空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响及其工作机理。结果表明，在结构为ITO/PTCDA/NPB/Alq3／Mg：Ag器件中，随着PTCDA厚度的增加，有机电致发光器件电流和效率降低。5nm的PTCDA层具有较好空穴的注入能力和高的光输出，器件的效率最高，最大效率为3.Ocd/A。随着PTCD
【机 构】
：
Department of Physics and Chemistry, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454000,China
【出 处】
：
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
苝四甲酸二酐(PTCDA)作为一种双极性材料在有机半导体器件中获得广泛应用。本文研究和分析了PTCDA做为空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响及其工作机理。结果表明，在结构为ITO/PTCDA/NPB/Alq3／Mg：Ag器件中，随着PTCDA厚度的增加，有机电致发光器件电流和效率降低。5nm的PTCDA层具有较好空穴的注入能力和高的光输出，器件的效率最高，最大效率为3.Ocd/A。随着PTCDA的厚度的增大空穴的传输机制发生改变。
其他文献
利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了4层Ge/Si量子点样品。通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了非掺杂、磷掺杂和硼掺杂。研究了掺杂对Ge/Si量子点表面形貌以及室温光荧光的作用。相比非掺杂的样品,Ge/Si量子点磷掺杂对其形貌影响很小,但其室温光荧光得到了有效的增强。而硼掺杂的样品Ge/Si量子点的密度有所减少且光荧光减弱。磷掺杂增强Ge/Si量
石墨烯具有高载流子迁移率，零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性，由于其独特的光吸收机制，对于制备高速，宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展，探测器作为光纤通信的重要组件，面临着高速，高探测效率，低损耗等要求，石墨烯在这方面的应用研究相继展开，并被认为是最具潜力的方向之一。科学家预言，石墨烯探测器的潜在速率可以达到500GHz以上，目前，国际上已经制
对比研究了波长为1064nm和532nm的皮秒激光制备的黑硅表面微纳米结构特征和光学吸收性质，并将黑硅引入到背面场硅太阳电池的研制中，在n型硅衬底上设计研制了pnlH-型的黑硅太阳能电池。结果表明，两种不同波长的皮秒激光制备的黑硅材料虽然在光学吸收性能上差别不大，但是对太阳能电池性能造成的影响却大不同：与未做黑硅的电池比，在经历完全相同的其它步骤电池工艺情况下，利用1064 nm激光制备的黑硅太阳
本文利用离子注入单晶硅表面的方法分别研制了硫和磷重掺杂的硅材料，并对比了二者在准分子激光退火和热退火前后的光吸收率变化特征。对低于硅带隙的1100～2600nm的近红外光波段吸收率的考察发现，准分子激光退火后，磷和硫重掺杂硅材料该波段都体现出了很强的光吸收率，硫掺杂硅材料在该波段的吸收曲线是相对平整的曲线，而磷掺杂材料的吸收曲线出现了明显的波包特征。而热退火处理后，硫掺杂材料的红外吸收率远远低于准
本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理，并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线光电子诺(XPS)表面测试分析结果显示，氢等离子体处理后，表面C/C-H污染物被有效的去除，氧含量明显降低。在此工艺基础上对SiC MOS电容的C-V电学特性测试结果表明，氢等离子体处理能有效降低SiO2/SiC的界面态密度至1.06×1012cm-2
背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点，是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程，测试了器件在模拟光照下的I-V特性，讨论了激光打孔与去除热损伤、扩散发射极和通孔金属化等三种工艺的重要性以及对EWT太阳电池参数的影响。
近年来，采用飞秒激光诱导超饱和掺杂技术制备的黑硅材料由于宽谱高吸收特点成为光电器件研究的热点。我们用飞秒激光辐照覆盖有热蒸发沉积碲薄膜的硅片，得到超过固溶度极限的超饱和碲掺杂硅材料。材料的表面形貌强烈依赖于激光通量(激光功率和脉冲数)。随激光通量的增加，表面形貌依次出现波纹、尖锥和梯田状结构。测量了材料的反射率和透射率，计算得到了吸收率。从400纳米至2500纳米材料表现出近一致的高吸收率，在高灵
用Pt纳米颗粒修饰阳极(ITO)来制备基于P3HT：PCBM的体异质结有机太阳电池，与没有Pt纳米颗粒修饰的电池相比，电池的开路电压增大。在ITO上持续溅射lOs Pt纳米颗粒的电池转换效率明显提高。在用Pt纳米颗粒修饰过的电池中肖特基结和p-n结是来描述电容特性的手段。在Pt纳米颗粒修饰电池的活性层中形成肖特基结可以有利于空穴收集，提高开路电压以及电池的稳定性。
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。由于台面线宽在微米量级，因此套准精度控制不好就会造成SiC器件的短路问题。本论文通过对厚层介质掩膜下小台面与其上大台面光刻套准精度的研究，得到了优化后的光刻条件，使大台面与小
为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性，通过降低反应室的工作压力、提高RF射频功率和SiH4流量可以达到降低BOE腐蚀速率，提高SiO2薄膜致密性的目的，采用原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌