金属栅结构相关论文
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小，传统的CMOS器件对新材料、新工艺和新结构等诸多技术提出了新的要求，尤其是进入45nm技术节点后，高k/......
随着微电子技术的发展，金属栅/高k栅介质结构取代传统的多晶硅/SiO2(或SiON)结构成为必然趋势。根据国际半导体技术发展路线图，在200......
随着大规模集成电路制造技术进入45nm及以下节点，由于MOS器件的栅氧化层厚度减薄并接近失效极限，传统的CMOS技术遇到了高栅泄漏电流......
本文采用Galerkin方法分析了金属栅加载圆形介质波导在圆对称模激励时的传播特性。在推得了严格的色散方程之后,给出了TE模和TM模......
