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利用考虑粤能级分裂的屏蔽氢离子模型(SHML),计算了Sn在密度为0.001~10g·cm^-3温度为100~2000eV时的平均离化度。给出了平均离化度......
极紫外(EUV)光刻技术被认为是最有前途的下一代光刻技术候选人,极紫外光刻光源是极紫外光刻技术的核心。在目前主流的产生极紫外辐......