ZnO是一种直接宽禁带半导体，禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，是制备紫外发光器件的理想材料。目前制备高效、稳定、可重复的p-......

利用TiOx胶体反向复制聚苯乙烯（Polystyrene,PS）球自组装单层得到TiOx/PS反蛋白石结构模板,并通过水热反应过程,分别在Si和GaN衬底上......