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寄生p-n结相关论文
HgCdTe光伏器件反常I—V特性分析
对HgCdTe光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生p-n结模型,并以此模型为基点,结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。......
期刊
光伏器件
寄生p-n结
伏安特性
HgCdTe diode
I-V characteristic
Parasite p-n junction
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