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多晶侧壁相关论文
应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究
提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优......
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