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,Comparisonof GaN-Based Light-Emitting Diodes by Using the AlGaN Electron-Blocking Layer and InAIN E
[期刊论文] 作者：陈峻,范广涵,庞玮,郑树文,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2011
Optical properties of GaN-based light-emitting diodes(LEDs)are studied numerically by using AlGaN and InAIN electron-blocking layers(EBLs).Through the simulatio...
[期刊论文] 作者：张运炎,范广涵,章勇,郑树文,,
来源：物理学报 年份：2011
采用软件理论分析的方法对p型及n型掺杂的GaN间隔层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,掺杂的GaN间隔层的引入,可以有效地控制...
[期刊论文] 作者：贺龙飞,范广涵,郑树文,许毅钦,张涛,,
来源：照明工程学报 年份：2011
采用＂七国两组织＂中文专利数据库,检索1985年1月1日到2010年12月31日期间的LED原材料相关的中国专利文献,建立LED原材料中国专利数据库。了解该技术在国内外的发展历史及最新研...
[期刊论文] 作者：陈献文,吴乾,李述体,郑树文,何苗,范广涵,章勇,
来源：光子学报 年份：2011
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在（0001）蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含...
[期刊论文] 作者：卢太平,李述体,张康,刘超,肖国伟,周玉刚,郑树文,尹以安,忤乐娟,王海龙,杨孝东,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
InGaN based light-emitting diodes (LEDs) with dip-shaped quantum wells and conventional rectangular quantum wells are numerically investigated by using the APSY...
The advantage of blue InGaN multiple quantum wells light-emitting diodes with p-AlInN electron block
[期刊论文] 作者：卢太平,李述体,张康,刘超,肖国伟,周玉刚,郑树文,尹以安,仵乐娟,王海龙,杨孝东,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
InGaN based light-emitting diodes (LEDs) with different electron blocking layers have been numerically investigated using the APSYS simulation software.It is fo...
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