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[期刊论文] 作者：王仁智,郑永梅,
来源：计算物理 年份：1996
在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中，建议一种以平均键能为参考能级的△Ｅｖ值理论计算方法，该方法在Ｓｉ为衬底，以Ｇｅ为衬底和自由共度生长等３种不同应变情况的Ｓｉ／Ｇｅ异质结价带偏移△......
[期刊论文] 作者：李以柏, 郑永梅,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2004
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[期刊论文] 作者：郑金成,郑永梅,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1997
采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算法，研究了三元合金ＩｎｘＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ值。......
[期刊论文] 作者：郑永梅,李以柏,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1992
n-GaAs/p-GaAs / p-Ga_(1-x)Al_xAs异质结构背电场背反射薄层电池的短路电流密度计算结果表明:在通常情况下,要提高电池的短路电流密度,必须尽可能减小结深x_j;基区厚度H_1的...
[期刊论文] 作者：郑永梅,满纪荣,,
来源：齐鲁护理杂志 年份：2017
目的：探讨预防性护理对老年病房住院患者医院感染及满意度的影响。方法：采取单盲随机分组法,将200例老年病房住院患者分为对照组和观察组各100例,对照组实施常规护理,观察组在...
[期刊论文] 作者：郑金成,郑永梅,
来源：自然杂志 年份：1996
半导体异质结界面两侧价带带阶ΔE_v值(即va|ence-band offsets)是决定量子阱、超晶格电子态重要的物理量,无论是理论计算还是实验研究都具有重要的意义。对于由元素...
[期刊论文] 作者：郑永梅,孙玉梅,
来源：四川精神卫生 年份：2000
...
[期刊论文] 作者：郑永梅，周卉玲,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2013
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：郑永梅,李以柏,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2004
n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs 异质结构背电场背反射簿层电池的光谱响应的计算结果表明:结深x_j对光谱响应有重要的影响,尤其是短波;基区厚度H_2的变化对长波光谱响应也非...
[期刊论文] 作者：王忠平, 李岩, 郑永梅,,
来源：中国伤残医学 年份：2011
目的:消除妇产科护理过程中的安全隐患,确保患者在治疗中获得身心安全。方法:分析产生安全隐患的原因,制定护理措施。结果:通过制定一系列护理措施,提高了妇产科护理质量,为...
[会议论文] 作者：叶宏卫, 郑永梅, 马腾,,
来源： 年份：2018
为开展液冷泵试验,通过对液冷泵电气技术参数分析,设计了电气控制测试系统,成功将传统的继电接触器控制系统控制工频电动机电路应用在控制液冷泵的中频电动机电路上,通过电气...
[期刊论文] 作者：郑永梅,王仁智,等,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1996
彩和原子集团展开和平均键能相结合的方法，研究了宽带隙高温半导体，合金型应变层异质界面C／BNxC2(1-x)、BN/NBxC2(1-x)和生长在BN/NBxC2(1-x)合金衬底上的C／BN应变层异质结的价带...
[期刊论文] 作者：刘向宇, 于艳辉, 郑永梅,,
来源：黑龙江科技信息 年份：2009
城市的不断发展和城市化水平的不断提高是现阶段我国城市发展的必然趋势。然而,不可忽视的现实是人口的不断增长以及不断的向大中型城市集中,将在一段时间内持续下去。而土地...
[期刊论文] 作者：李泽福,郑永梅,应华强,
来源：公安学刊.浙江公安高等专科学校学报 年份：2003
当前,我国正处在社会转型、经济转轨和推进城市化建设的关键历史时期,如何有效遏制刑事案件特别是可防性多发性刑事案件进一步上升趋势,已成为摆在公安机关面前的一个重大课...
[期刊论文] 作者：黄庭惠,伍杨,郑永梅,,
来源：中国老年学杂志 年份：2015
目的评价中药王不留行对去势大鼠骨质疏松的防治效果。方法采用去卵巢建立大鼠骨质疏松模型。60只雌性大鼠,分假手术组、模型组(去除卵巢),雌二醇(E2)组(去除卵巢+尼尔雌醇)...
[期刊论文] 作者：梁灿,张洪艳,郑永梅,,
来源：东北地震研究 年份：2006
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[期刊论文] 作者：郑永梅,王仁智,何国敏,
来源：物理学报 年份：1996
在异质结能带排列的理论计算中，采用经验赝势能带计算方法，并将平均键能Ｅｍ作为参考能级，计算了ＧａＡｓ／Ｇｅ，ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ／Ｇｅ三种异质结的整体能带结构和排序（包括价带、导带和带隙），获得完整且较准确的理论计算......
[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,郑永梅,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1998
采用有效质量理论６带模型，研究了电场下应变层量子阱ＡｌＮ／ＧａＮ（００１）的价带子能带结构．具体计算了价带子能级的色散曲线，分析了电场和应变效应对子能带的影响．还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子......
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,王仁智,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用LMTO能带从头计算方法，计算了闪锌矿（立方）结构AIN和GaN的静态性质；用平均键能方法，预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN／GaN应变层......
[期刊论文] 作者：何国敏,王仁智,郑永梅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子......
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