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[期刊论文] 作者：黄美纯,,
来源：物理学进展 年份：2000
密度泛函理论 (DFT)作为处理非均匀相互作用多粒子体系的近似方法已经在计算凝聚态物理、计算材料科学和计算量子化学诸多领域取得巨大成功并获得广泛应用。然而它也存在一些...
[期刊论文] 作者：黄美纯,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2005
具有特定功能的半导体材料的计算设计,是计算材料科学的一个重要研究领域.由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布,因此带隙的大小和能带极值...
[期刊论文] 作者：黄美纯,
来源：科学之友 年份：2005
固体是由许多原子组成的.固体物理学主要研究固体的原子结构以及固体中电子与原子、电子与电子、原子与原子之间的各种相互作用和由这些相互作用决定的固体材料的各种性质....
[期刊论文] 作者：黄美纯,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2001
评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于Si基光电子材料设计方面的重要进展．着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望．最近关于Si纳米晶光增益和纳米硅/氧超晶格......
[期刊论文] 作者：黄美纯,
来源：财务与金融 年份：1999
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[期刊论文] 作者：黄美纯,
来源：发光学报 年份：2005
描述多电子体系的绝大部分参量可实验测量,如吸收光谱、发光光谱和激子效应等,都涉及电子激发态的正确描述.密度泛函理论(DFT)框架内的局域密度近似(LDA)作为第一性原理基态...
[会议论文] 作者：黄美纯,
来源：中国物理学会现代物理实验技术会议 年份：1985
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[期刊论文] 作者：黄美纯,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1961
本交前一部分综合评论了最近关于有机半导体导电机理的报告,并且阐述有机物质的结构与其半导性的关系,由许多作者提出的可能的导电机理有三种模型 :共轭π—电子,自由基和电...
[会议论文] 作者：黄美纯;,
来源：第七届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2000
许多实验表明：外延材料中的线位错(Threading dislocation,TD)并不影响发光，也不是产生In涨落的原因。但它是形成InGaN漏电流的主要通道。新发展的侧向跨越外迁技术(LEO)和悬吊...
[学位论文] 作者：黄美纯,
来源：华南理工大学 年份：2021
随着现代通信技术的不断发展,射频前端系统朝高集成度、小型化、低成本的方向发展。滤波器和功率分配器作为射频前端系统的重要组成部分,其性能的好坏会对整个射频前端系统产生重要影响;因此,低损耗、小型化的微波毫米波无源电路对于高性能无线通信系统的发展来......
[学位论文] 作者：黄美纯,
来源：华中科技大学 年份：2023
振荡操作冲击试验是变压器投运前的重要试验项目,能够发现变压器的绝缘缺陷,预防变压器事故,对于电网的安全稳定运行具有十分重要的意义。以Haefely公司、Hipotronics公司为代表的欧美厂家,研发的振荡操作冲击测量系统不仅价格十分昂贵,而且售后服务不及时,在我......
[期刊论文] 作者：谢谦,黄美纯,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1994
完整晶格的结构可以用晶向族表示来描述，这种描述方法对分布于晶格中的径向衰减球对称物理函数的昌格和的计算适用。在晶向族表述，晶格求和的正逆问题可以十分自然地与某些数论......
[期刊论文] 作者：谢谦,黄美纯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1994
简要总结了原子间相互作用的对势和三体势的各种解析模型，进而提出能够统一描述惰性气体分子晶体的结合和卤盐离子晶体的结合的一种新模型。在此模型中，正负离子被想像为“带净......
[期刊论文] 作者：曾永志,黄美纯,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2005
为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)以及I-III-VI2(CuGaS2和CuGa...
[期刊论文] 作者：陈捷,黄美纯,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2007
硅的有效光发射是硅基光电器件研究的一个关键问题，因此一直受到广泛的关注．本文采用第一性原理对新的硅基材料Ⅵ（A）／Sim／SiO2／Sim／Ⅵ（A）（m=6，Ⅵ（A）=O，Se）的能带结构、态密度和电荷密度等进行......
[期刊论文] 作者：高文秀,黄美纯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
报告了准二维天然超晶格物质η－Ｍｏ４Ｏ１１（在１０５Ｋ和３５Ｋ呈现两次电荷密度波转变）在温度４．２－３００Ｋ，脉冲磁场４０Ｔ范围内的输运性质。动态和静态的温度特性均在转变温度附近呈现出明显异常。对其高压下的特性也作了......
[期刊论文] 作者：李开航,黄美纯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
用线性Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ轨 道能带计算方法对匹配超晶格（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｇｅ２）ｎ（ｎ＝２－５）系统进行超元胞自治计算。计算结果表明，该超晶格系统的价带带阶约为１．４４ｅＶ。（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｇｅ２）ｎ（１１０）超晶格的光吸收峰结合了 体材料ＺｎＳｅ和Ｇｅ光吸收峰的特点。......
[期刊论文] 作者：李开航,黄美纯,
来源：半导体学报 年份：1999
采用Ｌｉｎｅａｒｉｚｅｄ－Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ－Ｏｒｂｉｔａｌ能带方法对应变超晶格（ＧａＡｓ）ｎ／（ＩｎＡｓ）１（００１）进行自洽计算。在得到较准确能带结构和本征函数的基础上，计算该超晶格的光学介电函数虚部ε２（ω），折射率和吸收系数。......
[期刊论文] 作者：谢谦,黄美纯,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1995
在晶向族表象中，以三晶向族的Ｍｏｂｉｕｓ反演公式为零级近似，其余晶向族的贡献为微扰给出了陈－任微扰公式，内聚能函数对晶格间距的关系由第一原理的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法计算得到，原子间对势以改进的陈－任公计......
[期刊论文] 作者：李开航,黄美纯,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1999
用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系，以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征......
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