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[期刊论文] 作者：钱钦松,,
来源：数理化解题研究 年份：2015
高中物理教学的主要特点就是能够运用实验来展现物理现象,物理实验能激发学生的学习热情,帮助学生掌握相关的物理概念,熟悉物理现象,逐渐培养学生的探索精神与观察能力.随着...
[期刊论文] 作者：钱钦松,
来源：中学生数理化·教与学 年份：2016
基础教育课程改革持续推进，不可避免要面对“回归课堂”的选择，学校教育教学活动是基础教育改革的主要对象，而学校教育教学活动主要阵地在课堂，使课堂教学研究逐渐成为教育研究的重要问题.有些教师在教学过程中重视课堂教学，忽视教学评价，使课堂教学中存在的问题得不......
[学位论文] 作者：钱钦松,
来源：东南大学 年份：2012
功率绝缘体上硅的绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT)器件兼有双极型三极管(BJT)电流能力强和横向扩散金属氧化物半导体管(LDMOS)开关速度快的双重优势，是多个中高压功率集成电路...
[期刊论文] 作者：钱钦松,,
来源：新课程导学 年份：2016
高中物理课程的教学中融入物理学史是一个很好的教学选择,这部分素材和信息的加入会让课堂上的理论知识教学变得丰富有趣起来,学生也可以了解到很多物理学定理、定律以及相应...
[期刊论文] 作者：杨帆, 钱钦松, 孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2009
CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构入手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理。通过理论计算,得到相...
[期刊论文] 作者：杨帆,钱钦松,孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2004
Cool MOS具有优越的直流特性.为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理.通过理论计算,得到相关...
[期刊论文] 作者：王雯,钱钦松,孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2008
采用TCAD Sentaurus模拟分析了gg-NMOS在TLP应力下的瞬态特性。包括NMOS的栅长,栅氧化层厚度,栅宽及TLP电流大小对ESD保护器件开启特性的影响。分析表明,器件栅长增加,栅氧变...
[期刊论文] 作者：霍昌隆,刘斯扬,钱钦松,,
来源：电子科技 年份：2012
研究了高压SOI—LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区（FBSOA）的绘制方法。首先，分别提取器件的热阻与热容，并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗，进而根据热阻抗与最大允许功率之间......
[期刊论文] 作者：吴媛,钱钦松,孙伟锋,
来源：通信电源技术 年份：2019
对于高频高功率两级结构的DC/DC电源系统,其轻载效率和重载效率差异较大,整体效率低。因此,提出了一种基于遗传算法和PID的联合控制的方法,通过优化两级电源系统的控制参数,...
[期刊论文] 作者：陈越政,钱钦松,孙伟锋,,
来源：微电子学 年份：2009
基于SOI-LIGBT（Silicon-on-Insulator—Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor），采用二维器件模拟软件Tsuprem4和Medici，仿真N-buffer的注入剂量和结深的变化对器件击穿电压...
[期刊论文] 作者：王靖琳,钱钦松,孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2009
分析了存在于高压SOI PLDMOS器件中的寄生双沟道效应的产生机理,并提出了改进型的新结构。该结构有效地抑制了SOI PLDMOS器件的寄生双沟道效应,不但显著提高了器件的击穿电压...
[期刊论文] 作者：宋慧滨,李维聪,钱钦松,,
来源：电子器件 年份：2009
提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专...
[期刊论文] 作者：朱奎英,钱钦松,孙伟峰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件...
[期刊论文] 作者：陈越政,钱钦松,孙伟锋,,
来源：半导体技术 年份：2010
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极P＋阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益口的影响，通过理...
[期刊论文] 作者：刘斯扬,钱钦松,孙伟锋,,
来源：Journal of Southeast University(English Edition) 年份：2010
为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显...
[期刊论文] 作者：刘斯扬,钱钦松,孙伟锋,
来源：东南大学学报（英文版） 年份：2004
为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显...
[会议论文] 作者：易扬波,李维聪,钱钦松,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
文章提出了一种适合于PDP行驱动芯片用的高压SOI NLDMOS器件结构，分析了SOI LDMOS的击穿电压与SOI层厚度、埋氧层厚度的关系，并对器件饱和电流大小和开态耐压进行了优化。经过T...
[会议论文] 作者：孙伟锋;陈越政;钱钦松;,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
对于绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(silicon-on-insulator-lateral insulated gatebipolar transistor,SOI-LIGBT)器件,击穿电压与饱和电流特性是其两个重要参数。分析了...
[期刊论文] 作者：祝靖,钱钦松,孙伟锋,李海松,,
来源：微电子学 年份：2009
分析了利用多次外延／离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS（〉650V）的准饱和现象，与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比。结果发现，准饱和首先发生在N-Pillar的底部，分析了这种......
[期刊论文] 作者：荆吉利, 钱钦松, 李海松, 孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2009
给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化。借助二维器件仿真讨论了在原胞尺寸不变的情况下导通电阻和击穿电压的折...
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