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[学位论文] 作者：曹文彧,
来源：北京大学 年份：2013
GaN基激光器(LD)和发光二极管(LED)在固态照明，宽带激光通讯，大容量光存储，激光电视等方面有巨大的市场需求和广泛的应用。GaN基半导体光电器件的研究是当今半导体产业发展的前...
[期刊论文] 作者：曹文彧, 王文义,,
来源：半导体光电 年份：2004
为了减弱InGaN/GaN量子阱内的压电极化场,在蓝紫光InGaN/GaN多量子阱激光器结构中采用了预应变InGaN插入层,通过变温电致发光和高分辨X射线衍射测量研究了预应变插入层对量子...
[期刊论文] 作者：曹文彧,王文义,
来源：激光与光电子学进展 年份：2020
在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生长了具备InGaN应变层的MQW结构以减弱极化场,并进行了变温、变激发强度的光致发光谱实验,结果表明,引入应变层后的MQW内量子效率有......
Influence of the quantum-confined Stark effect on the temperature-induced photoluminescence blueshif
[期刊论文] 作者：曹文彧,胡晓东,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2016
Measurements of the excitation power-dependence and temperature-dependence photoluminescence(PL) are performed to investigate the emission mechanisms of In Ga N...
[期刊论文] 作者：邢兵,曹文彧,杜为民,,
来源：发光学报 年份：2010
通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光（PL）谱进行实验分析,得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系。说明对于我们的样品,...
Effects of a prestrained InGaN interlayer on the emission properties of InGaN/GaN multiple quantum w
[期刊论文] 作者：曹文彧,贺永发,陈钊,杨薇,杜为民,胡晓东,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
The electroluminescence (EL) and photoluminescence (PL) spectra of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) with a prestrained InGaN interlayer in a laser diode...
[期刊论文] 作者：贺永发, 李丁, 曹文彧, 陈钊, 杨薇, 陈伟华, 胡晓东,
来源：半导体光电 年份：2004
介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性,称之为正向交流小信号法。利用该方法深入地研究和对比分析了Ga...
[期刊论文] 作者：龙浩,方浩,齐胜利,桑丽雯,曹文彧,颜建,邓俊静,杨志坚,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper reports that a dual-wavelength white light-emitting diode is fabricated by using a metal-organic chemical vapor deposition method. Through a 200-hour...
[期刊论文] 作者：周书星,方仁凤,陈传亮,张欣,魏彦锋,曹文彧,类淑来,艾立鹍,
来源：原子能科学技术 年份：2021
本文采用气态源分子束外延法(GSMBE)制备了匹配型InGaAs/InAlAs磷化铟基高电子迁移率器件(InP HEMT)外延结构材料.针对该外延结构材料开展了不同能量和注量电子束辐照试验,测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气(2DEG)辐照前后的电学特性,获得了辐照前后InP HEM......
[期刊论文] 作者：周书星,方仁凤,魏彦锋,陈传亮,曹文彧,张欣,艾立鹍,李豫东,郭旗,
来源：物理学报 年份：2022
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×1015 cm–2条件下,并测试了InP HEMT外延结构......
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