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[期刊论文] 作者：时军朋,,
来源：电子质量 年份：2017
制作了N电极为Ti/Al/Ni/Au结构的垂直LED芯片。由于电极结构中含有容易迁移的金属Al,在高电流密度下存在可靠性风险。通过改变Al层的厚度,研究了其对芯片可靠性的影响。结果...
[会议论文] 作者：蔡伟智,梁奋,时军朋,赵来文,
来源：第十四届全国LED产业发展与技术研讨会 年份：2014
本文分析了LED芯片光输出退化机理,分组抽取LED芯片进行光退化试验,通过实验验证了LED芯片光输出退化的小电流现象.利用此现象扩大了LED外延工艺设计和日常生产的试验监控范...
[期刊论文] 作者：时军朋,温振超,宋长安,陈殷,彭应全,
来源：半导体学报 年份：2005
介绍了八羟基喹啉锌（Znq2）有机薄膜及器件的制备方法，X射线衍射谱指出，用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构；通过对Znq2有机薄膜I-V曲线的分析，揭示了Znq2薄膜的开关特性．基于......
[会议论文] 作者：蔡伟智,李国煌,梁奋,时军朋,吕艳,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文通过对发光二极管(LED)芯片点测技术的研究,比较了LED芯片点测与测试方法的主要差别,描述了LED芯片点测技术的发展和分类.通过实验验证了外围条件因素对点测结果的影响,...
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