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[期刊论文] 作者：康俊勇,,
来源：实验室研究与探索 年份：1999
根据物理基础实验室的现状和任务，本文介绍了在体制、制度、人员、课程、设备、环境等方面，为建立面向新世纪实验室所进行的一系列整顿和改革，收到较好的效果...
[期刊论文] 作者：康俊勇,
来源：物理学报 年份：2004
采用超细过滤方法,分别制备含有平均线度小于2 nm的超细SnO2纳米晶粒的酸性和碱性溶胶溶液.通过动态光散射、X射线衍射和晶粒透射电子显微镜像测量,确定了SnO2晶粒的线度.对...
[期刊论文] 作者：康俊勇,王家库,
来源：红外技术 年份：1999
采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴－乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像。观察表明，研磨造成的晶片表面可见损伤，经机械和溴－乙醇化学抛光后将减......
[期刊论文] 作者：康俊勇,林虹,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1991
用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更...
[期刊论文] 作者：冯夏,康俊勇,
来源：发光学报 年份：2006
采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线，直径约100nm，长度可以超过10μm；同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过x射线...
[期刊论文] 作者：康俊勇,S.Tsunekawa,A.Kasuya,
来源：物理学报 年份：2001
采用超细过滤方法 ,分别制备含有平均线度小于 2nm的超细SnO2 纳米晶粒的酸性和碱性溶胶溶液 .通过动态光散射、X射线衍射和晶粒透射电子显微镜像测量 ,确定了SnO2 晶粒的线...
[期刊论文] 作者：康俊勇, 黄启圣,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2001
介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中...
[期刊论文] 作者：吴雅苹,康俊勇,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2014
石墨烯二维材料有着优异的物理、化学特性,在多个科学领域展现出广阔的应用前景.采用化学气相沉积方法在Cu-Ni合金表面制备了二维石墨烯薄膜并揭示其生长机制;研究生长时间、...
[期刊论文] 作者：肖细凤,康俊勇,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
在测得Al0.26Ga0.74As∶Sn混晶中两类类DX中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能.采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Sn...
[期刊论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：人工晶体学报 年份：1996
本工作成功地建立一套垂直温度梯度凝固晶体生长设备，并在无氢气的气氛下生长了掺碲ＩｎＳｂ体单晶。通过霍尔效应、原子吸收谱和腐蚀等方法对掺碲ＩｎＳｂ晶体中的缺陷在宏观、微尺度上的分布......
[期刊论文] 作者：詹华瀚,康俊勇,
来源：半导体学报 年份：1997
本文讨论了研究半导体缺陷深能级瞬态谱中遇到的多指数分解问题，并使用共轭梯度计算法对瞬态谱进行数值Ｌａｐｌａｃｅ逆变换处理来实现多指数瞬态的分解。结果表明，此方法具有较高的分辨率，而......
[期刊论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：人工晶体学报 年份：1994
在４０００Ｇｓ的磁场和无磁场下用液体封止直拉法（ＬＥＣ）生长各种不同高掺锗浓度的ＧａＡｓ体单晶。用ＡＢ液和ＫＯＨ液腐蚀所生长的晶体，分别观察磁场中生长晶体的腐蚀条纹和腐蚀坑变化。通过电子探针微区分析和霍......
[期刊论文] 作者：詹华瀚,康俊勇,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1997
采用共轭梯度法处理半导体深能级研究中遇到的多指数瞬态分解问题，数值计算表明这种方法具有较高的分辩率，可应用于多指数函数分解和电子发射过程的精细结构研究。...
[期刊论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1996
用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷。结果表明，探测器中存在于禁带中央附近的两个施主深级。它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙......
[期刊论文] 作者：林国星,康俊勇,
来源：高等理科教育 年份：2001
实验教学是培养学生实践能力和创新意识的有效途径,实验管理是实验教学的重要保证.物理学是一门实验的科学,基础物理实验是理工科学生的重要基础课,这门课的收效在一定程度上...
[期刊论文] 作者：康俊勇,沈波,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
采用光荧光和阴极荧光方法，对GaN外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析；同时，采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延层中的缺陷。结果表明，黄色和蓝色发光与残留杂质有关......
[期刊论文] 作者：康俊勇,松本文夫,
来源：发光学报 年份：1997
用液封坩埚子降（ＬＥ－ＶＢ）法沿晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶。ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光，与Ｚｎ受主相关的施主－受主对发光及其声子伴线、以及本征缺陷有关的深能级发......
[期刊论文] 作者：周昌杰,康俊勇,,
来源：发光学报 年份：2006
采用第一性原理和密度泛函理论的方法，计算未掺杂、N单掺杂和Ca-N共掺杂纤锌矿结构ZnO的总能、电荷密度和能带结构。总能计算表明，Ga原子的共掺杂使总能极大地降低，从而显著提高......
[期刊论文] 作者：张华,冯夏,康俊勇,
来源：发光学报 年份：2006
采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法，计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡品格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明，四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0．71048nm，六角结......
[期刊论文] 作者：陈晓航,康俊勇,
来源：发光学报 年份：2006
采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构，以及禁带宽度的变化。计算结果显示，随着Mg组分的增加，晶格常数逐渐减小，晶体逐渐偏离纤锌矿结......
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