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[学位论文] 作者：刘航志,,
来源：安徽工业大学 年份：2018
与传统的硅（Si）材料器件相比,基于第三代宽禁带材料碳化硅（SiC）的电力半导体器件有着优越的性能,受到越来越多研究人员的关注。SiC MOSFET具有开关频率高、通态电阻低以及高击穿......
[期刊论文] 作者：周郁明,刘航志,杨婷婷,王兵,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2018
建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型.在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏...
[期刊论文] 作者：周郁明, 刘航志, 杨婷婷, 王兵,,
来源：南京航空航天大学学报 年份：2017
为了更好地评估碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提...
[期刊论文] 作者：刘航志,周郁明,袁晨,陈涛,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
位于SiO_2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业...
[期刊论文] 作者：周郁明, 杨婷婷, 鲍观甲, 刘航志,,
来源：电力电子技术 年份：2017
与传统的硅（si）功率器件相比，碳化硅（SiC）功率器件具有击穿电场强度高、导热率高、开关频率高、通态电阻低等优点。将SiC功率器件引入交错并联Boost功率因数校正（PFC）电路，分析了临界......
[期刊论文] 作者：周郁明,刘航志,杨婷婷,陈兆权,
来源：电子学报 年份：2019
建立了两种碳化硅(SiC)器件JFET和MOSFET的失效模型.失效模型是在传统的电路模型的基础上引入了额外附加的泄漏电流,其中,SiC JFET是在漏源极引入了泄漏电流,SiC MOSFET是在...
[期刊论文] 作者：周郁明, 李勇杰, 鲍观甲, 刘航志,,
来源：中国科学技术大学学报 年份：2017
提出了一种基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET的Spice模型,该模型是基于MOSFET的Spice一级（Level-1）模型方程,将方程中的常数迁移率用更能准确反映4H-SiC/SiO2界面特性的迁移...
[期刊论文] 作者：周郁明, 蒋保国, 刘航志, 陈兆权, 王兵,,
来源：中国电机工程学报 年份：2004
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program...
[期刊论文] 作者：周郁明, 蒋保国, 刘航志, 陈兆权, 王兵,
来源：中国电机工程学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：李薇,何雪颖,张利荣,佟亚建,高彤,吴超,刘航志,刘兆会,
来源：临床放射学杂志 年份：2021
目的 探讨四步法对比剂注射技术在颈部增强CT检查中的可行性.方法 回顾性分析性别、年龄匹配的四步对比剂注射技术(实验组)和常规对比剂注射技术(对照组)的颈部增强CT患者各50例,均右肘静脉注射对比剂并应用相同的扫描参数及重建技术,应用客观和主观评价方法评......
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