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通过实验研究了加入特殊硅，活性炭等及温度对Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的影响。结果表明，加入特殊硅及活性炭可使ＳｉＣ晶须发育得更好，并且Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的适宜温度应在１２００℃＜Ｔ＜１４００℃之间。
添加剂及温度对Al2O3—C质耐火材料中SiC晶须形成的影响
【摘 要】
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通过实验研究了加入特殊硅，活性炭等及温度对Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的影响。结果表明，加入特殊硅及活性炭可使ＳｉＣ晶须发育得更好，并且Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的适宜温度应在１２００℃＜Ｔ＜１４００℃之间。
【机 构】
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东北大学钢冶系,鞍山钢铁学院化工系
【出 处】
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炼钢
【发表日期】
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1996年1期
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