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在半导体芯片制造过程中,需要对栅氧化过程中的引入N2O气体进行掺氮处理,本文发现N2O气体的引入是一个放热反应,并且导致氧化炉内的温度不均匀,进而使得炉内的氧化层厚度的均一性随炉内位置的变化变差.过对氧化炉内的温度矫正,实现了氧化炉满炉大批量生长.
栅氧氮化处理中氧化炉膜厚均一性研究
【摘 要】
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在半导体芯片制造过程中,需要对栅氧化过程中的引入N2O气体进行掺氮处理,本文发现N2O气体的引入是一个放热反应,并且导致氧化炉内的温度不均匀,进而使得炉内的氧化层厚度的均
【机 构】
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
【出 处】
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电子制作
【发表日期】
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2016年9期
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