【摘 要】
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为改善GdI3：Ce 闪烁体在探测中子过程中的γ 抑制能力,使用Geant4 和XCOM 计算了其γ 线性吸收系数,并通过模拟计算与实验测量研究了铅屏蔽法抑制γ 的有效性。结果表明：Gd
【机 构】
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中国科学院上海应用物理研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049中国科学院上海应用物理研究所,上海201800
【出 处】
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中国原子能科学研究院第31届“五四”青年学术报告会
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为改善GdI3：Ce 闪烁体在探测中子过程中的γ 抑制能力,使用Geant4 和XCOM 计算了其γ 线性吸收系数,并通过模拟计算与实验测量研究了铅屏蔽法抑制γ 的有效性。结果表明：GdI3：Ce 闪烁体在探测中子过程中易受低能γ 射线的干扰；随着铅层厚度的增加,100 keV～1 MeV 的γ 射线对中子探测的干扰减小,而3～10 MeV 的γ 射线的干扰呈先增加后减小的趋势。对252 Cf 中子源的实验测试发现,在碘化钆闪烁体外围添加铅层后,中子峰得以显现；随着铅层厚度的增加,中子峰内净计数减小,而净计数与本底计数的比值上升。模拟和实验结果均表明,在使用GdI3：Ce闪烁体探测中子时,应根据中子探测效率和信噪比的优化确定γ 屏蔽铅层的厚度。
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