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高长径比的银纳米线相比于银颗粒具有优异的一维长距离电子传输优势，可以减少电子传输过程中的损失。采用一步水热法制备出大规模高产率的银纳米线。生长的银纳米线平均长度为 62.7 μm，平均直径为25.0 nm，长径比高达2 508；研究了反应时间以及聚乙烯吡咯烷酮添加量对银纳米线生长的影响，提出了银纳米线的生长机理。最后，将银纳米线以不同比例与商业化银浆进行掺混，并在P型硅片上制备银栅线。测试表明，适量地掺入银纳米线有助于显著提升银栅线导电和抗拉性能。