【摘 要】
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BD8676KN内置FET采用高度独立负电压耐压工艺，通过逆转电荷泵电路和降压开关稳压器电路的同步化、共有化来实现高效率，而且逆转LD0稳压器也实现低噪声化。性能特点：单芯片中内置
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BD8676KN内置FET采用高度独立负电压耐压工艺，通过逆转电荷泵电路和降压开关稳压器电路的同步化、共有化来实现高效率，而且逆转LD0稳压器也实现低噪声化。性能特点：单芯片中内置DSP及视频驱动器用2ch降压开关稳压器，CCD传感器／AFE／驱动器用升降压电源和逆转电源共4ch DC／DC转换器；利用内置电源启动的顺序电路实现系统的小型化，低成本化；
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