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英特尔、东芝和三星电子将联手开发新技术，在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商英特尔结成合作伙伴，并邀请大约10家半导体材料及其它领域的企业加入这一联合体。
英特尔三星东芝联手开发10纳米芯片工艺
【摘 要】
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英特尔、东芝和三星电子将联手开发新技术，在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商英特尔结成合作伙伴
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2010年12期
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