【摘 要】
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用AES结合氩离子刻蚀技术,测量了用SiHCI_3-NH_3或SiCl_4-NH_3体系LPCVD 工艺在硅衬底上生长的氮化硅薄膜组分的深度分布及氮化硅/硅之间界面过渡区内的SiL_2,_3VV、NKLL和OK
【机 构】
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复旦大学现代物理研究所,复旦大学现代物理研究所,复旦大学现代物理研究所,上海测试技术研究所,上海测试技术研究所,
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用AES结合氩离子刻蚀技术,测量了用SiHCI_3-NH_3或SiCl_4-NH_3体系LPCVD 工艺在硅衬底上生长的氮化硅薄膜组分的深度分布及氮化硅/硅之间界面过渡区内的SiL_2,_3VV、NKLL和OKLL俄歇峰。结果表明膜内组分均匀性较好,含氧量约为1％,界面处氧含量较高,但未发现SiO_2特征峰。
Using AES combined with argon ion etching, the depth distribution of the silicon nitride thin film grown on the silicon substrate by the SiHCl_3-NH_3 or SiCl_4-NH_3 system LPCVD process and the interfacial transition between the silicon nitride and the silicon were measured SiL_2, _3VV, NKLL and OKLL Auger peak. The results show that the content of oxygen is about 1%, the content of oxygen in the interface is high, but the characteristic peak of SiO 2 is not found.
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