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采用高温固相反应法制备了Ce^3＋掺杂的BaBrCl材料，研究了样品的荧光光谱，经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱（DAS）．首次在BaBrCl：Ce^3＋中发现光激励发光，发射峰及光激励发光峰均位于-390m；DAS为500-750nm的宽带谱，与BaFX：Eu^2＋（X=Cl，Br）相比，谈吸收带与He-Ne激光器（633nm），或廉价、小巧、使用方便的半导体激光嚣的波长更为匹配．表明BaBrCl：Ce^3＋有望成为一类新型的X射线存储材料．