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借助XRD、SEM研究了Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC薄膜复合材料在650 ℃晶化退火处理后的界面结构.结果表明,陶瓷薄膜层的约束抑制了NiTiSMA基体的高温时效反应;由于NiTiSMA基体表面的高温氧化产生的TiO2过渡层,使NiTiSMA与铁电陶瓷两异质之间良好结合.
Sol—Gel法制备NiTiSMA／FC复合材料的界面结构研究
【摘 要】
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借助XRD、SEM研究了Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC薄膜复合材料在650 ℃晶化退火处理后的界面结构.结果表明,陶瓷薄膜层的约束抑制了NiTiSMA基体的高温时效反应;由于NiTiSMA基体表
【机 构】
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天津理工学院
【出 处】
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河北工业大学学报
【发表日期】
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2003年1期
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