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研究了退火对磁场诱导下高定向热解石墨（HOPG）输运特性的影响，结果表明，退火后HOPG的R—T曲线明显变得光滑，且退火后电阻率增大了近50％，相应温度下的磁电阻效应均减小约40％。分析认为，这是由于HOPG内部存在层错与所含杂质缺陷引起的。磁场下电阻率随温度的变化表明，外加磁场对低温下的金属导电行为存在抑制作用，随着外加磁场的增加，低温下的金属导电行为受到抑制，在H=5．57×10^4A／m时，低温下的绝缘体一金属转变（I—M）被完全抑制，呈半导体性质。随着磁场的继续增加，在磁场高于H=9．2