【摘 要】
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设计了几种基于CMOS工艺的高频RFID整流器,包括:桥式整流器,栅压交叉连接桥式整流器,NMOS-PMOS栅压交叉连接桥式整流器.分析了NMOS栅压交叉连接桥式整流器和PMOS栅压交叉连接
【基金项目】
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05年天津市科技发展计划项目(05YFGZGX02300)
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设计了几种基于CMOS工艺的高频RFID整流器,包括:桥式整流器,栅压交叉连接桥式整流器,NMOS-PMOS栅压交叉连接桥式整流器.分析了NMOS栅压交叉连接桥式整流器和PMOS栅压交叉连接桥式整流器的结构和特点.所设计的这两种电路具有负载驱动能力强,漏电流低,电路能量转换效率高等特性,并且随着输入功率的变化有着很好的电路稳定性.另外对一种改进型NMOS-PMOS栅压交叉连接桥式整流器电路进行了讨论,在一定的输入功率下这种电路具有很高的能量转换效率.给出了几种电路的仿真结果,并对仿真数据进行了比较.
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