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利用低温生长技术抑制Sb偏析,实现了Sb的δ掺杂。同步辐射X射线反射率测量表明Sb被限制在很窄的范围,约2个内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念,测量了P型Bδ掺杂材料的深能级瞬态谱(DLTS),得到δ掺杂量子阱的子能级位置。自渝计算DLTS信号来自于δ掺杂量子阱的基态能级上的空以阱顶的发射。