短周期（AlAs）m／（GaAs）n（n≤10）超晶格表面界面...

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lichao0714900

【摘要】

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在紧束缚近似下,本文首次采用Recursion方法,对(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)短周期超晶格的表面、界面和体内电子结构进行了详细计算.给出了它的总态密度(TDOS)、局部态密度(LDO

【作者】

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王恩哥章立源

【机构】

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北京大学物理系,北京大学物理系

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1990年3期

【关键词】

：

AlAs/GaAs 超晶格表面电子结构

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在紧束缚近似下,本文首次采用Recursion方法,对(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)短周期超晶格的表面、界面和体内电子结构进行了详细计算.给出了它的总态密度(TDOS)、局部态密度(LDOS)和分波态密度(PDOS).由此证明了界面的影响,并得到了Al,Ga和As原子的原子价.超晶格有序势使(AIAs)_n/(GaAs)_n的直接带隙变窄,这表明了它与无序合金Al_xGa_(1-x)As之间物理性质的差别.同时直接证实了(001)表面原子的成键方式将引起退杂化SP_2+P_γ-P_y发生.

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