HfO2高K栅介质薄膜的电学特性研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ylm1982123

【摘要】

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研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.对电容的电学特性如C-V特性,I-V特性,击穿特性进行了测试.实验结果显示:HfO2栅

【作者】

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韩德栋康晋锋刘晓彦韩汝琦

【机构】

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北京大学微电子所

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

HFO2薄膜高介电常数栅介质电学特性 MOS 集成电路 highK gate dielectric HfO 2 electrical characteris

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研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.对电容的电学特性如C-V特性,I-V特性,击穿特性进行了测试.实验结果显示:HfO2栅介质电容具有良好的C-V特性,较低的漏电流和较高的击穿电压.因此,HfO2栅介质可能成为SiO2栅介质的替代物.

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