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采用三维模拟软件对具有 FINFET结构的 SOI- MOSFET进行了模拟 .研究了 FINFET的 I- V特性、亚阈值特性、短沟道效应等 .模拟发现 ,通过降低 fin的高度可以有效地抑制短沟道效应与提高器件的性能 ,因此 fin的高度是器件设计中一个关键参数 .模拟结果表明 FINFET在特性上优于传统的单栅器件 .