论文部分内容阅读
半导体产业每次向更高级的设计工艺流程及生产技术过渡过程中,都会经历一次在范围更深、更广和更高性能的转型。如今,随着业界向65纳米及以下级别的更高纳米技术发展,确保投片成功的传统手段很快就开始不适应结构设计越来越高的需求。业界正在进入一个朝着可制造性考虑设计转型的关键时期,需要在设计方法上有一次突破,以实现新一代纳米级集成电路(ICS)的成功。