切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
单片集成并行流水线操作16*16位数字乘法器
单片集成并行流水线操作16*16位数字乘法器
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:richardwang_wjw
【摘 要】
:
本文介绍采用平行/流水线操作原理的16× 16位数字乘法器的工作原理和单片集成结果.整个电路由二相非重叠时钟控制,利用标准单元设计,由7000多门组成芯片,在双层铝布线的
【作 者】
:
洪志良
张新源
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1992年8期
【关键词】
:
单片集成电路
数字乘法器
操作
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文介绍采用平行/流水线操作原理的16× 16位数字乘法器的工作原理和单片集成结果.整个电路由二相非重叠时钟控制,利用标准单元设计,由7000多门组成芯片,在双层铝布线的 2μm CMOS工艺上制备,能实现最高乘法操作每秒 7 MHz,芯片的面积为 8758 × 8878 μm.
其他文献
用XPS研究快速热退火形成TiSi2的热氧化
用XPS结合AES、SEM、XRD分析研究了快速热退火形成的TiSi_2经100—1000℃、20—60 的热氧化行为.TiSi_2表面由SiO_2+ TiO_2组成的混合层随着氧化温度的升高或是氧化时间的延
期刊
硅化物
热退火
热氧化
硅化钛
XPS
Semiconductor Materials
Research
一二九团“农机安全”备战春播
“把防护板上的螺丝拧紧,避免发生隐患。”3月8日,在七师一二九团十三连机务站,机务副连长袁明正在要求机务人员检修春播机械。
期刊
农机安全
备战
机务人员
异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态,特性模型...
本文在改进型电荷控制模型基础上,结合GSW速度场特性,提出了适用于HIGFETs器件的新的高场区(I_D>I_(Ds))的静态特性模型,从而导出了I-V,I_(Ds)-V_(Ds),g_(ms),g_D和C_G等参数
期刊
HIGFETS
静态模型
栅泄漏电流
HIGFETs
State characteristics
Gate leakage model
Anslytic
写山农牧场帮扶资金匀力职工多元增收
“听说农场工会有困难职工创业帮扶资金,然后我就抱着试试看的态度申请,没想到申请批下来了,真是特别高兴。”十二师西山农牧场四连职工肖学军高兴地说。
期刊
贴息贷款
一种基于过程免疫时间的电压暂降后果分级指标
准确刻画敏感用电设备对电压暂降的耐受能力是开展电压暂降研究的基础,论文提出了基于过程免疫时间的暂降后果分级指标,并提出刻画电压暂降耐受能力的新方法。首先将由敏感设
期刊
电压暂降
敏感设备
刻画方法
分级指标
变频器
Voltage sag
Sensitive equipment
Characterization methods
电视纪录片配音的意境融通及创设路径
作为电视纪录片后期工作的重要组成,电视纪录片的感染力、艺术性在很大程度上受到配音的影响,这也是长期以来电视纪录片配音向来受到业界关注的原因,基于此,本文简单介绍了电
期刊
电视纪录片
配音
意境
关于舞蹈文化产业发展中的舞蹈艺术创作和探讨
文化产业作为新兴的朝阳产业,其繁荣程度是衡量一个地区或城市发达程度的标准之一,而舞蹈文化产业又是其中一个重要的产业分类。基于此,本文针对舞蹈文化产业发展的现状进行
期刊
舞蹈文化
舞蹈创作
文化产业
商业发展
艺术创造
致富路上兄弟情
付江录是十三师火箭农场的个体工商户。他先后成立了哈密江盛有限责任公司、哈密鼎舜有限责任公司,他用自己200多万元的资金帮扶了近40人脱贫致富,其中有八名火箭农场的少数
期刊
兄弟
致富路
个体工商户
先进性教育
自身学习
有限责任
民族企业
脱贫致富
试析化学除草技术在林业育苗中的运用
伴随着科学技术的不断发展,林业育苗技术已得到全面升级。其中,化学除草剂是已经得到广泛地推行与实践。与全新的除草技术相对比,传统的除草技术更依赖于人工,且除草成本居高
期刊
化学除草技术
林业育苗
运用
NTD C2—Si708Cm^—1,742Cm^—1,776Cm^—1中照缺陷红外...
本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强
期刊
硅
红外吸收带
缺陷
中照
退火
NTD CZ-Si
Defect
Infrared absorption band
Annealing characte
与本文相关的学术论文