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新型高压沟槽SOI-LDMOS的研究

来源 :杭州电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ikyug

【作 者】

：

张惠婷 

【出 处】

：

杭州电子科技大学

【发表日期】

：

2021年01期

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