中子照相是材料无损检测和无损评价领域的重要手段，在国防、航空、航天、核能、考古等领域均有重要作用。当前射线无损检测技术主要依赖x射线成像，但它有受限的场合，而中子照相可以很好弥补这一区域。当中子束穿透被检测物时，其强度必然发生衰减变化，只要利用适当的探测技术就能获得物体内部特征及其缺陷信息的图像。计划利用d-T反应产生的14MeV高能中子来进行射线成像研究，它具有中子穿透力强适于检测大厚物件和中子源可移动性等优点，对未来的现场检测有重要意义。国外于上世纪90年代有很多快中子照相的研究工作，是近年来的一个热门课题。快中子照相技术与相对成熟的热中子照相技术相比，由于快中子探测效率低、散射影响大等问题，具有很高的技术难度，也是目前快中子照相领域研究的重点。本项目基于中国原子能科学研究院600kV高压倍加器，通过蒙特卡罗方法模拟的方法摸索快中子照相技术的条件，建立一套对标准样品位置分辨率达到3mm的利用转换屏+CCD的成像系统，研究提高成像质量的手段。这里最大的贡献是提出、模拟利用准直中子孔道开展快中子照相研究，优化快中子成像实验装置并设计合理的实验方案，改进了中子源使其成为直径5mm的面源并进一步改造为线源，而这些是困扰目前实验的难点。研究结果说明实验装置可以满足设计指标。