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高体积分数Si Cp/Al复合材料是航空航天、仪表、汽车等领域电子封装外壳的理想材料。但是高体积分数的Si C颗粒导致材料可焊性低,大大制约了其在电子封装领域的应用。本文以激光诱发Ti与增强相颗粒原位反应抑制界面反应为思路,开展了以CO2连续型激光器为热源,TA2为中间层添加材料的高体积分数(65%)Si Cp/Al复合材料激光焊接试验研究。研究内容包括:采用单因素试验、正交试验对焊缝成形质量、力学性能、断裂行为进行了考察,进一步分析了焊缝成分、熔池反应机理与结晶行为,重点观察了原位反应对界面反应的抑制作用。模拟电子封装试验,使用氦质谱检漏仪测试了封装盒体气密性。主要研究成果如下:(1)单因素试验结果显示,线能量对焊缝成形质量有很大影响,焊缝熔深和熔宽随线能量增大而呈增大趋势,当线能量在0.3~0.8KJ/cm区间内,激光功率为1000~1500W,焊接速度为0.5~2m/min,中间层厚度0.3~0.5mm,0.2~0.5个大气压的纯氩气保护下焊接所得焊缝连续、美观、无缺陷,是满足封装要求的焊缝成形。焊缝力学性能试验结果显示,激光功率与中间层厚度对接头抗拉强度影响很大,当激光功率为1200W,中间层厚度0.3mm,焊接速度1.5m/min时所得接头抗拉强度最高,为118.4MPa,达到母材的51%。另外,原位反应生成物导致焊缝处显微硬度提升。(2)模拟电子封装试验测得封装盒体气体泄漏率为2.4×10-7Pa·m3/s,远低于要求允许泄漏率1×10-6Pa·m3/s,满足封装要求。(3)通过金相显微镜、扫描电镜、EDS能谱分析以及XRD电子衍射,确定了焊缝生成物成分主要为Ti C,Ti3Al,Ti5Si3,结晶顺序为Ti C→Ti5Si3→Ti3Al。