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在Ⅱ-Ⅵ族一维纳米半导体材料中,硫化镉纳米材料因具有良好的化学和物理特性,因此被广泛地应用于光电探测﹑发光二极管和太阳能电池等领域。硫化镉是一种直接带隙半导体,室温下的禁带宽度为2.42 eV,其性能与材料的尺寸大小和结构形貌密切关联,因此,研究纳米材料的可控生长对调控材料的性能意义重大。论文利用热蒸发的方法成功制备纯净的硫化镉纳米带和锰掺杂硫化镉纳米带以及硒硫化镉纳米带,生长温度为820℃,载流气体氩气流速为18 sccm。通过扫描电子显微镜（SEM）﹑透射电镜（TEM）﹑高分辨电镜（HRTEM）﹑X射线衍射（XRD）﹑能量色散X射线光谱（EDS）和X射线光电子能谱分析（XPS）对所获得的纳米带进行形貌﹑结构和成分等方面的表征。另外,还通过紫外-可见吸收光谱（UV-vis）﹑拉曼光谱（Raman）﹑光致发光光谱（PL）和阴极荧光光谱（CL）等对纳米带进行光学性质的研究。最后对制成的纳米器件进行光电探测研究。主要结果如下:在光学性质方面:研究发现,所制备的纳米带尺寸均匀﹑表面光滑透明,厚度较薄。纯净的硫化镉纳米带﹑锰掺杂硫化镉纳米带和硒硫化镉纳米带的禁带宽度分别为2.32 eV﹑2.25 eV和1.97 eV。与纯净的硫化镉纳米带的禁带宽度相比,锰掺杂硫化镉纳米带的禁带宽度减小了0.07 eV,纳米带发生了红移。纯净硫化镉纳米带的拉曼光谱的一阶（1LO）和二阶（2LO）纵光学振动模分别位于318 cm-1和618 cm-1;锰掺杂硫化镉纳米带的拉曼光谱与纯净的硫化镉纳米带相比,谱峰发生了微小的红移。光致发光光谱研究表明硫化镉的特征峰位于510nm;而锰掺杂硫化镉有两个发光峰,分别位于510 nm和642 nm,其中642 nm可能是S空位或者表面缺陷所引起的。阴极荧光光谱研究发现,纯净硫化镉纳米带和锰掺杂硫化镉纳米带在低温下的发光强度都比室温下的强;与纯净的硫化镉相比,锰掺杂硫化镉纳米带在500 nm附近和700 nm附近处均发生蓝移。硒硫化镉纳米带的光致发光谱表明其发光峰介于硫化镉和硒化镉之间;低温下的阴极发光也比室温下的强。在光电探测方面:单根硒硫化镉纳米带器件在白光照射和偏压为1V下的光电流为1.60′10-7A,暗电流为1.96×10-10A,光暗电流之比约为816。研究发现CdSSe纳米带也是具有很好的光导特性,器件的光谱响应率为3.77 AW-1,外量子效应为6.94%,光电导率为8.0×10-2S/cm。此外,光电流随着光功率密度的增加而增加,光电流与光功率密度满足IP=AP0.69。CdSSe纳米带纳米器件在光电探测方面具有良好的稳定性和重复性。