本研究以Si粉、SiO2粉、SiC粉为主要原料,采用无压烧结方法在氮气气氛中制备氧氮化硅及氧氮化硅结合碳化硅陶瓷。通过阿基米德密度测定法、X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、数显洛氏硬度仪、膨胀系数测定仪等手段对试样密度、物相组成、显微结构、材料硬度、热膨胀系数进行表征。本论文研究了烧结温度、N2压力、烧结助剂的种类及添加量、SiC粉的添加量及SiC颗粒级配对氧氮化硅和氧氮化硅结合碳化硅陶瓷体积密度、物相组成、显微结构及性能的影响。结果表明:(1)以Si和SiO2为原料无压烧结制备Si2N2O时,Si2N2O的合成温度为1000℃～1550℃,稳定存在温度范围为1450℃～1550℃,且随温度升高试样的密度、硬度、热膨胀系数都相应增加,在1550℃达到最大值,在1600℃时Si2N2O发生分解生成Si3N4。烧结过程中N2压力增大使Si2N2O分解温度降低;烧结助剂的加入可以显著提高试样密度。在1550℃、0.2MPaN2压力、Si/SiO2值为3、加入5%MgO做烧结助剂条件下合成的Si2N2O试样密度达到最大值为2.43g/cm3,Si2N2O为板状晶粒,晶粒大小均匀约为1-2μm,洛氏硬度(HRA)达到81.3,热膨胀系数为3.20×10-6 ℃-1。(2)以Si、SiO2、SiC为原料无压烧结制备Si2N2O-SiC陶瓷时,加入70wt%SiC,1.5wt%MgO做烧结助剂,SiC颗粒级配为m(297μm:23μm)=4:3,在1450℃烧结2h可制得较致密的Si2N2O-SiC陶瓷,Si2N20-SiC陶瓷试样的密度达到2.51g/cm3,洛氏硬度(HRA)达到73.3,热膨胀系数为3.71×10-6 ℃-1;Si2N2O-SiC陶瓷的物相组成为SiC:61.29%,Si2N2O:36.06%。烧结时加入适量的烧结助剂MgO可以加快Si2N2O的生成速率,促进Si2N2O晶粒的生长。与Si2N2O相比Si2N2O-SiC陶瓷的分解温度降低,在1500℃出现分解,至1550℃分解完全。