TFET作为新型的低功耗器件,物理结构上采用源漏区非对称性掺杂,通过外加栅电压控制能带偏移,进而利用隧道击穿原理实现器件工作。与传统漂移扩散机制MOSFET器件相比,TFET器件的亚阈值斜率能够突破60m V/dec的限制,能够在较低电源电压下获得更大的电流开关比,从而实现超低功耗的目标。数字标准单元库是集成电路设计自动化的关键,是衔接前端设计与后端物理实现的桥梁。本文在基于传统MOSFET建库技术基础上,探究了TFET应用的研究方向,将TFET器件应用于数字标准单元库设计上。在已有技术的基础上,利用TFET器件模型,进行了相关研究,并在单元设计、版图规划和器件检测方面取得一定成果。基于传统工艺的MOSFET器件,进行了建库工作,包含库单元的原理图提取及优化,特性仿真和版图绘制,并利用已有的库单元,完成整体的建库流程,包含最重要的各类库文件生成及相应脚本文件编写。在单元设计中,针对单元的组合逻辑和时序逻辑电路进行深入研究,并结合TFET器件模型,对传输门逻辑对整体电路的设计影响进行分析,进而对比选择适合TFET器件的电路设计结构;另外,根据现有的模型兼容性问题,设计了测试触发器电路建立时间和保持时间的双时钟边沿测试电路。在版图规划方面,依据流片测试的版图模型并结合单元库设计方案,对单元版图进行了规划,并针对TFET器件的版图检测进行研究,修改了相应DRC检测规则使之能够针对TFET器件的特殊结构进行检测,其中包含针对一般类型的TFET器件,以及包含Pocket结构和Underlap结构的特殊类型TFET器件。