高压射频LDMOS功率器件被广泛用于移动通信和雷达系统等领域。由于其高压、高功率的工作条件,器件容易受热载流子注入效应和温度效应的影响。热载流子注入效应和温度效应一方面衰减器件性能,使其偏离正常工作状态;另一方面,长时间受热载流子注入和温度效应影响,器件寿命也会退化,甚至直接损坏。因此,研究LDMOS器件的热载流子注入和温度效应的作用机理、提高器件的可靠性具有重要的意义。本文研究的LDMOS器件为双层源场板金属槽型Sinker射频LDMOS器件,其采用金属槽替代了高掺杂P+注入Sinker,有效节省了器件面积。双层源场板结构不仅减小了漏极和栅极之间的反馈电容,提高了器件频率特性;而且优化了器件沟道区和LDD区的电场,改善了热载流子注入对器件性能的影响。本文通过电应力老化试验和Silvaco数值仿真辅助分析,研究热载流子效应对器件的直流特性(阈值电压、跨导、饱和电流和导通电阻)的影响。通过器件结构(场板长度、LDD区长度和多晶栅长度)和工艺(LDD区注入剂量)的优化设计,从而降低器件沟道区和LDD区的热载流子注入几率,提高器件可靠性。器件温度效应的研究是通过温度应力实验和数值仿真辅助分析来完成。由于器件高功率工作条件,内部功率耗散导致的自热效应严重,影响器件的导通电阻、饱和电流、击穿电压和频率特性。文中对器件施加温度应力,研究其特性参数(直流特性和高频特性)随温度的变化;还通过改善器件结构来优化器件的温度效应,减小其对器件特性的影响。