基于纳米孔的单分子检测技术在未来精准医疗、生物制药、遗传工程等领域有广泛的应用。固态纳米孔作为其中的核心组成部分,是目前世界上的研究热点。固态纳米孔由于其鲁棒性、化学稳定性以及易于修饰和操控而受到广泛的关注。然而,固态纳米孔的阵列制造在均匀性、纳米孔尺寸、形貌、效率低等方面仍然面临一些挑战。本论文对基于硅工艺的纳米孔的制作工艺进行研究,依据硅湿法条件下的各向异性刻蚀原理,采用直接刻蚀、SOI衬底、磁控溅射收缩等方法,实现了纳米孔的制作。本文研究内容如下:一,对硅的各项异性刻蚀理论进行总结分析,阐述了硅纳米孔的制作原理。二,工艺湿法刻蚀理论。通过大量实验研究了KOH各项异性湿法刻蚀时刻蚀剂温度、浓度对刻蚀速率及表面平整性的影响,对普通硅基纳米孔阵列均匀性以及误差做出分析。三:提出基于SOI的三步纯湿法制备硅基纳米孔方法,采用实验室自制的单面刻蚀装置,利用颜色反馈式方法实现纳米孔制备过程的监控,制备出直径为43nm的均匀纳米孔阵列及最小特征尺寸为58nm的单纳米孔。四,为了进一步缩小纳米孔的尺寸,采用磁控溅射收缩技术,将锥形硅基纳米孔阵列和单纳米孔收缩至26nm,直至完全闭合。