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等离了体技术在微电子工业和半导体薄膜材料生长等方面有着广泛的应用。用等离子体化学气相沉积(PCVD)技术制备的薄膜质量好,而且工艺成熟,适合大规模工业化生产,因而成为工业化生产最有效的方法。采用SiCl_4/H_2为反应气体,用传统的射频辉光放电PCVD方法直接沉积多晶硅薄膜的方法日益受到重视。了解各种条件下辉光放电等离子体的放电机理,诊断和监控放电过程,是寻找高效优质薄膜的最佳生产工艺条件的必然要求。