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二维SnO是一种新型的二维半导体材料,具有宽禁带、稳定性好、载流子迁移率高及无毒性等特点,在纳米电子器件以及光电器件领域有着广泛的应用前景。目前,实验上已成功制备出SnO纳米线和薄层材料。研究表明,二维SnO具有较高的空穴迁移率(641 cm2 V-11 s-1),是稳定的p型二维半导体材料,但是其本征非磁性极大地限制了SnO在自旋电子器件方面的应用。因此,本文采用第一性原理的计算方法,研究了二维SnO的非金属及3d过渡金属元素掺杂,并对双轴应变条件下二维SnO的电子结构和光学性质进行了研究。首先,我们通过自旋极化密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,研究了3d过渡金属（TM）元素（Sc-Zn）替位掺杂对单层SnO电子结构和磁学性质的影响。为确保计算的可靠性,我们先对二维SnO原胞的电子结构,能带及电子态密度进行了理论计算。计算结果表明,二维本征SnO不显示磁性,过渡金属原子Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co或Cu掺杂的单层SnO体系可以诱导出磁性,磁矩的大小由掺杂原子的种类决定。Sc、Co和Cu原子掺杂体系的磁矩为1?B,V和Mn原子掺杂体系的磁矩为3?B,Cr和Fe原子掺杂体系的磁矩为4?B。通过对过渡金属掺杂体系的能带和分波态密度研究发现,过渡金属原子掺杂后,在单层SnO的禁带中出现新的杂质能级,且磁矩主要来源于过渡金属原子3d轨道电子的贡献,部分来源于它与近邻的O原子的2p轨道之间的杂化。其次,我们采用同样的计算方法,研究了非金属元素（H,B-F,Si-S,As,Br,I）替位掺杂对单层SnO电子结构和磁学性质的影响。计算结果表明,非金属原子B或N掺杂单层SnO可以诱导出磁性,磁矩分别为0.84?B,0.44?B。在B-SnO掺杂体系中,磁矩主要来源于B-2p轨道和与之近邻的Sn-5p轨道的杂化耦合。在N-SnO掺杂体系中,磁矩主要来源于Sn-5p、O-2p和N-2p轨道的杂化耦合。进一步研究两个B或两个N原子掺杂单层SnO的磁耦合发现,双B原子掺杂SnO超原胞的C1构型最为稳定,双N原子掺杂SnO超原胞的C4构型最为稳定,且都呈现出顺磁性。形成能计算表明,富Sn条件下更易于实现双原子掺杂。这些理论计算结果将为掺杂SnO单层材料在光电子和自旋电子器件的潜在应用提供一定的理论参考。最后,我们探究了不同双轴应变对二维SnO材料的电子结构和光学性质的影响。对晶体的能带结构、态密度和介电函数进行了计算,并利用色散关系得出晶体的光学常数。研究结果表明:无应变时,二维SnO是宽禁带间接带隙的半导体,施加双轴应变可以使二维SnO带隙变窄,且相对于双轴压缩应变而言,双轴拉伸应变对二维SnO电子结构的影响更为明显。光子能量在020eV时,单层SnO的复介电函数、吸收系数、能量损失函数和消光系数等光学谱均受双轴应变的影响较大。双轴压应变使这些光学谱的峰位全部都向低能方向移动,而且第一个峰值有所升高;而双轴拉应变则使这些光学谱的峰位全部都向高能方向移动,且第一个峰值有所降低。同时双轴压应变使二维SnO的静态介电常数实部、静态折射率和反射率增大,拉应变使之降低,且相对于双轴拉伸应变而言,双轴压缩应变对二维SnO电子结构的影响更为明显。研究表明双轴应变可以有效调节二维SnO的电子结构和光学性质。