薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)广泛应用于显示领域,随着人们对显示器件尺寸和性能需求的提高,非晶硅TFT因迁移率太低(小于1cm2/Vs)、多晶硅TFT大面积一致性差以及对可见光敏感等缺点已不能满足其在工业上的应用。以ZnO为代表的金属氧化物薄膜晶体管以光敏性弱、迁移率高、开口率高等优点吸引了越来越多的关注和研究。但是,ZnO基TFT现阶段也存在如0空位、Zn填隙等缺陷,性能不稳定,迁移率还不足够高等问题,这些都限制了透明金属氧化物TFT的进一步发展。针对以上问题,我们用磁控溅射的方法研制了InZnO:N-TFT,并通过优化制备InZnO:N薄膜的条件,提高InZnO:N-TFT的电学性能。本文主要研究工作如下：一、研究了有源层厚度对InZnO:N-TFT性能的影响,结果表明,随着InZnO:N薄膜厚度的增加,迁移率先增加后减小。当有源层厚度为30nm时器件性能最佳,其迁移率为37.1cm2/Vs,阈值电压为-9.1 V,开关比为2.4E+07；二、研究了退火温度对InZnO:N-TFT性能的影响,结果表明,在一定范围内随着退火温度的增加,器件性能逐渐变好；退火温度过高时,器件性能急剧退化。当退火温度为950℃时,晶体管性能最佳,其迁移率为37.1cm2/V s,阈值电压为-9.1 V,开关比为2.4E+07；三、研究了器件溅射过程中O2/Ar对InZnO:N-TFT性能的影响,实验发现适量的氧气可以帮助提高有源层的质量,当氧气流量为1SCCM时,即O2/Ar等于1／30时,器件性能最佳,其迁移率为39.3cm2/Vs,阈值电压为2.4 V,开关比为2.2E+07。四、研究了器件沟道宽长比及沟道长对器件性能的影响,实验发现,在固定沟道宽的情况下,随着宽长比的减小器件性能退化；在固定宽长比的情况下,器件性能随着沟道长的减小而增强。