镱是一种特种压阻材料,用其制作的薄膜传感器灵敏度高,响应速度快,可用于测量3GPa以下的冲击波压力在岩石、土壤及液体介质中的传播和衰减过程。镱传感器因其在弱动态压力下的高灵敏度,被认为是研究岩土爆炸力学的最佳传感器。此外,镱传感器还可用于激光维持爆轰、水下爆轰、静水高压等试验压力的测量,是国防工程急需的特种高压传感器。本文以聚酰亚胺薄膜为基片,采用直流磁控溅射工艺制作了低阻π型结构镱薄膜传感器,对薄膜的制备工艺进行了优化,在基板温度为180℃,溅射功率为120W的条件下得到了较好的薄膜质量。采用“埋入式”结构在600～700MPa压力范围内对传感器进行了动态加载实验。测试结果表明:相同工艺制备的传感器压阻系数一致性很好,其重复性误差仅为±0.85;不同工艺制备的传感器压阻系数一致性也较好,重复性误差≦±2.7%;单面封装的传感器响应最快可达80ns。在高真空环境中,对薄膜样品进行300℃,1小时的热处理,通过微观分析和电阻率测试,发现热处理前后的薄膜晶粒尺寸分别为206nm和220nm,薄膜电阻率分别为47.5μΩ·cm和41.3μΩ·cm,热处理工艺对薄膜晶粒尺寸无明显影响。实验发现,在PI基片上生长的薄膜不是柱状结构,与Al2O3基片上的结构不同。初步探索了高阻型传感器的制备工艺,试制出了镱薄膜刻蚀液,在20℃下的最佳配方为1:30(体积比)的盐酸-无水乙醇混合溶液。利用丝网印刷技术在PI柔性基片上涂覆光刻胶,解决了传统的旋涂法在柔性薄膜基底上涂胶的困难。利用光刻工艺结合掩模漏版溅射技术制作出了50?高阻型镱薄膜传感器。