光电探测器,因其能够将光信号转换为电信号而在信号处理、显示等领域得到广泛应用。尤其是可见光探测器,在图像传感、激光通信、工业自动控制等领域有着广泛应用。在众多材料中,ZnO基材料因其原料丰富、价格低廉、易于制备等优点而备受光电探测器的青睐,然而,作为一种宽禁带（3.2-3.37 eV）半导体材料,ZnO基材料大多被应用于紫外光电探测器,该特性极大地限制了ZnO基材料的应用。为了拓展ZnO基材料的的光电响应范围,使其可应用于可见光探测领域,本文通过磁控溅射技术制得ZnO薄膜,并将其与p型材料Cu₂O进行复合,从而使其在可见光范围内实现光电响应,随后通过碳量子点、半导体CdS量子点以及贵金属等修饰手段进一步提高其光电响应能力。主要研究内容及成果如下:1、电子注入型Cu₂O/C QD/ZnO异质结的制备及其光敏性的研究采用磁控溅射技术、水热法和液相还原法分别制备出了ZnO薄膜、C QDs和Cu₂O,然后将C QDs和Cu₂O引入ZnO薄膜表面,从而制备了电子注入型Cu₂O/C QD/ZnO结构的透明光敏薄膜,并对该薄膜的透光性与光敏性进行了研究。通过研究表明,C QDs和Cu₂O与ZnO薄膜结合良好,相较于未改性的薄膜,该薄膜的光敏性展现出明显的提高,其主要原因为Cu₂O/ZnO的p-n结结构以及C QDs的上转换荧光性能。2、Ag改性的Cu₂O/ZnO异质结透明器件的制备及其光电转换性能的研究通过简单的磁控溅射技术制备了Ag改性的Cu₂O/ZnO结构的p-n结型透明薄膜,并对该薄膜的透光性与光电转换性能进行了研究。通过研究可知,与未修饰的异质结相比,该薄膜具有明显的光电转换增强作用（其光电转换效率为0.48%,是未修饰异质结的10倍）。通过分析发现,该薄膜的光电转换性能的增强主要是由于Cu₂O/ZnO的pn结结构和Ag纳米颗粒作为光电子的供体及其表面增强等离子体吸收性能。3、CdS QDs敏化Cu₂O/ZnO异质结透明器件的制备及光电转换性能的研究采用磁控溅射技术、水热法和循环离子吸附法分步制备了CdS QDs敏化的Cu₂O/ZnO结构的透明薄膜,并对该薄膜的透光性与光电转换性能进行了研究。研究表明,相较于未修饰的异质结,CdS QDs敏化的异质结对于可见光的光电转换性能有了明显的提高,其主要原因为CdS QDs对于可见光的充分利用,阶梯状的能带结构能够有效降低电子-空穴的复合,以及有序ZnO纳米阵列可以提高光能利用率,从而提高该薄膜的光电转换性能。