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Ⅲ族化合物半导体薄膜的研究在近几年来是一个研究热点,例如氧化镓(Ga2O3)、氧化铟(In2O3)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)以及三元化合物铟镓氮(InxGa1-xN)。它们都是直接带隙n型半导体,具有良好的化学特性和热稳定性,广泛应用于气敏传感器、高温高频大功率电子器件、光电子器件、太阳能电池、互联网+等领域,因此对于Ⅲ族化合物薄膜的研究具有重要的研究意义。本文在此基础上研究了以上薄膜的制备工艺过程以及不同工艺下的气敏性能。本文采用磁控溅射法制备Ga2O3、In2O3薄膜材料,在价格低廉的Si(100)衬底上进行生长。对于Ga2O3和In2O3的研究,主要研究了溅射气压、衬底温度和溅射功率等因素对于Ga2O3、In2O3薄膜生长的影响,测试结果表明:Ga2O3的优化工艺条件为溅射气压0.6 Pa,衬底温度600℃,溅射功率150 W;In2O3的优化实验工艺条件为溅射气压0.6 Pa,衬底温度600 ℃,溅射功率为100 W,测试结果得出Ga2O3薄膜对甲醇气敏工作温度为250 ℃,乙醇气敏工作温度为300 ℃,丙酮气敏工作温度为400℃ In2O3薄膜在工作温度为350 ℃时对乙醇和丙酮有较好的灵敏度,在工作温度为300 ℃时对甲醇的气敏性能较好。采用磁控溅射和高温氨化法制备出GaN薄膜材料,研究了衬底温度、溅射时间、氨化温度等因素对GaN薄膜的生长的影响,测试结果得出了优化实验工艺条件为衬底温度400 ℃,溅射时间90min,氨化温度850 ℃,测试结果得出GaN薄膜在工作温度为300 ℃时对乙醇有较好的灵敏度,在工作温度为250 ℃对丙酮和甲醇的气敏性能较好。采用磁控溅射法,靶材为In2O3陶瓷靶,反应气体为氮气,成功制备出InN薄膜,并研究了溅射气压和衬底温度等因素对于InN薄膜生长的影响,测试结果得出了当溅射气压为0.6Pa,衬底温度为600 ℃时,InN的结晶质量最好。在此基础上,通过磁控溅射和高温氨化法,利用Ga2O3陶瓷靶和In2O3陶瓷靶,制备出三元化合物InxGa1-xN薄膜材料,并研究溅射气压、衬底温度和溅射功率等因素对InxGa1-xN生长的影响,测试结果得出InxGa1-xN薄膜在工作温度为250 ℃时,对乙醇和甲醇有较好的灵敏度,灵敏度为1.37,在工作温度为300 ℃时,对丙酮的气敏性能较好。