随着时代的发展,无线电技术已成为现代信息社会的重要支柱。在无线电技术的需求下推动了对磁学的研究,产生了自旋电子学;反过来自旋电子学的研究在将来必将反哺于无线电技术。本文通过密度泛函计算,研究了二维（2d）稀磁半导体（DMS）δ-（Zn,Cr）S的磁交换能（MEE）随形变增强的机制。垂直于Cr层的晶格参数c的增加或者平行于Cr层的晶格参数a的减少都能够增加体系的MEE。δ-（Zn,Cr）S中磁交换能的提高主要基于齐纳的双交换（DE）机制。通过形变可以改变费米能级在空穴中的分布,当费米能级处于空穴的中间时,DE占据主导作用,体系呈现强铁磁性。这篇工作丰富了2dDMS材料的研究。在上个工作的基础上,我们利用第一性原理计算了δ-（Zn,Cr）S（111）表面的原子结构和电子结构。体系表面的单层Cr具有非中心反演对称性,这导致了Cr原子间的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）即手性磁相互作用。Cr原子间通过相邻层的S原子传递磁性相互作用。利用广义布洛赫定理,本文对反方向的自选螺旋能量与波矢的色散关系E（q）与E（-q）进行了进一步计算。E（q）与E（-q）能量之差反映了δ-（Zn,Cr）S（111）体系的DMI的大小。用海森堡相互作用（HBI）模型与DMI模型对E（q）与E（-q）进行拟合,得到了Cr原子与Cr原子间各个近邻的DMI参数d₁、d₂与HBI参数J₁-J₄。在该体系中,Cr原子与Cr原子间的耦合是M型反铁磁。DMI参数d₁=-0.53 meV,为负值,所以体系表现为顺时针手性DMI。并且该值的绝对值不接近于0,因此在δ-（Zn,Cr）S（111）界面上有产生斯格明子的可能性。本文计算表明,在磁性和非磁性半导体形成的界面上可能存在DMI,这为理论研究和磁存储技术的进,展开拓了一个新的方向。